具有静电防护能力的输出缓冲器

摘要

一种具有静电防护能力的输出缓冲器，其是在横向控整流器结构中插入一个短通道薄氧化层P MOS元件构成的PTLSCR元件，和一个在横向硅控整流器结构中插入一个短通道薄氧化层NMOS元件构成的NT LSCR元件构成；这些元件将横向硅控整流器的导通电压由原来的开关电压降低至这些金氧半导体元件的快反向击穿电压；电路还包括两个寄生二极管；即在输出缓冲器和VDD之间的二极管，和在输出缓冲器和VSS之间的二极管。

主权项

1.一个具有静电防护能力的输出缓冲器，包括：一薄氧化层PMOS元件及一薄氧化层NMOS元件，该PMOS元件的源极接到VDD电压源；该NMOS元件的源极接到VSS电压源，该PMOS元件与NMOS元件的漏极连接在一起并连接到一个输出区上；一个第一低电压触发硅控整流器连接于VDD与该输出垫之间，以防护ND模式的静电放电；一个第二低电压触发硅控整流器连接于该输出区与VSS之间以防护PS模式的静电放电；一个第一寄生二极管连接于VDD与输出区之间的防护PD模式的静电放电；以及一个第二寄生二极管连接于输出区与VSS之间以防护NS模式的静电放电。