| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Ansteuerung eines Feldeffekttransistors mit einem Sourceabschnitt (2), einem Drainabschnitt (3) und einem Gateabschnitt (5) beschrieben, wobei an den Gateabschnitt eine Gatespannung (UG) angelegt wird, die die Ausbildung und/oder Aufrechterhaltung eines elektrisch leitenden Kanals zwischen dem Sourceabschnitt und dem Drainabschnitt bewirkt. Das beschriebene Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß nach der Kanalausbildung der Gateabschnitt von einer diesen mit der Gatespannung beaufschlagenden Gatespannungs-Versorgungsquelle getrennt wird.</p> |
