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发明名称 Verfahren zum Bilden eines Feldoxidfilms in einem Halbleiterelement
摘要
申请公布号 DE19649445(A1) 申请公布日期 1997.06.05
申请号 DE19961049445 申请日期 1996.11.28
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD., ICHON, KYOUNGKI, KR 发明人 KWON, SUNG KU, ICHON, KYOUNGKI, KR;LEE, SEUNG MOO, ICHON, KYOUNGKI, KR
分类号 H01L21/76;H01L21/3105;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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