发明名称 | 等离子腐蚀设备和方法 | ||
摘要 | 一种等离子腐蚀设备及其使用方法,它能防止离子入射损伤,并满足高各向异性和高腐蚀速率的腐蚀。工作台2包含一高导磁率材料层,具有直接降到地电位的电位,使从等离子产生源发散的磁力线按基本上与其垂直的方向入射在工作台上。这使等离子中的负离子和正离子沿着磁力线按与其垂直的方向,入射到要被腐蚀的衬底上。结果,与现有技术不同,不利用屏极区加速离子,因而能有效地防止损伤衬底。 | ||
申请公布号 | CN1150327A | 申请公布日期 | 1997.05.21 |
申请号 | CN96111726.5 | 申请日期 | 1996.07.05 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 门村新吾 |
分类号 | H01L21/3065;H05H1/00 | 主分类号 | H01L21/3065 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒;萧掬昌 |
主权项 | 1.一种等离子腐蚀设备,其包括:至少利用磁场的等离子产生源;等离子处理室,它与等离子产生源相连,并且包括放置要被腐蚀的衬底的工作台,它与等离子产生源相对;其特征是,设置所述的工作台具有地电位;所述工作台包含基本上位于所述工作台整个表面的上面的高导磁率材料层。 | ||
地址 | 日本东京都 |