发明名称 含有带无源元件的薄膜结构的电子元件
摘要 一种带有衬底(1,31)的电子元件,衬底的表面(4,34)配备有带无源元件(5,35)的薄膜结构,其电阻器(6,36)制作在电阻器材料层(7,37)中,且电容器的下电极(9,39)制作在表面上的电极层(10,40)中,由绝缘材料层(12,41)组成的介电层(11,41)制作在下电极上,而上电极(13,43)制作在介电层上的电极层(14,44)中。电容器(8,38)的一个电极(9,43)制作在制成双层(19~21,49~51)的电极层(10,44)中,双层中还用于制作电阻器(6,36)的电阻器材料层(7,37)构成第一分层(19,49),其上制作一个构成第二分层(21,51)的导电材料层(20,55)。由于采用双层,电容器具有较低的串联电阻。
申请公布号 CN1149930A 申请公布日期 1997.05.14
申请号 CN96190301.5 申请日期 1996.02.15
申请人 菲利浦电子有限公司 发明人 G·F·A·范迪瓦利;E·W·A·杨
分类号 H01L27/01;H01L23/522;//H01L21/3205 主分类号 H01L27/01
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 程天正;傅康
主权项 1.一种带有衬底的电子元件,衬底的表面配置有带无源元件的薄膜结构,其电阻器制作在电阻器材料层中,而电容器的下电极制作在表面上设置的电极层中,其介电层由绝缘材料层组成并制作在其下电极上,且上电极制作在介电层上的电极层中,其特征在于,电容器的一个电极制作在制成双层形式的电极层中,此双层的第一分层由其中还形成该电阻器的电阻器材料层构成,同时在其上制作一个形成其第二分层的导电材料层。
地址 荷兰艾恩德霍芬