发明名称 |
Semiconductor memory device including a boost potential generation circuit. |
摘要 |
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申请公布号 |
EP0661710(A3) |
申请公布日期 |
1997.05.07 |
申请号 |
EP19940120821 |
申请日期 |
1994.12.28 |
申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
KANEKO, TETSUYA;OHSAWA, TAKASHI |
分类号 |
G11C11/413;G11C5/14;G11C11/406;G11C11/407;G11C11/408;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):G11C11/408 |
主分类号 |
G11C11/413 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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