发明名称 Semiconductor memory device including a boost potential generation circuit.
摘要
申请公布号 EP0661710(A3) 申请公布日期 1997.05.07
申请号 EP19940120821 申请日期 1994.12.28
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 KANEKO, TETSUYA;OHSAWA, TAKASHI
分类号 G11C11/413;G11C5/14;G11C11/406;G11C11/407;G11C11/408;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):G11C11/408 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人
主权项
地址