Halbleiterbauelement mit vertikalem Feldeffektbauelement mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementes,申请号DE19936005284T-传众专利搜索

发明名称	Halbleiterbauelement mit vertikalem Feldeffektbauelement mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementes
摘要
申请公布号	DE69305284(T2)	申请公布日期	1997.04.30
申请号	DE19936005284T	申请日期	1993.07.29
申请人	PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL	发明人	GOODYEAR, ANDREW LEONARD, REDHILL, SURREY RH1 5HA, GB;HUTCHINGS, KEITH MICHAEL, REDHILL, SURREY RH1 5HA, GB
分类号	H01L21/336;H01L27/02;H01L27/04;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L21/336
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