发明名称 全元素离子束材料表面改性方法
摘要 本发明涉及全元素离子束材料表面改性方法,该方法是在离子溅射源通入氩气,从靶材上溅射下的原子沉积在工件表面,同时离子注入源引出气体离子、金属、碳、硅或硼单一离子束或者同时引出气体和金属离子束注入到工件表面,制备硬质膜、合金膜和功能膜层。本方法可以完成全元素离子束增强沉积、气体离子注入、金属离子注入和复合离子注入。该方法可广泛应用于宇航、石油化工、机械工程的电子工程。
申请公布号 CN1034679C 申请公布日期 1997.04.23
申请号 CN92111475.3 申请日期 1992.09.28
申请人 大连理工大学 发明人 李国卿;马滕才
分类号 C23C14/22;C23C14/48 主分类号 C23C14/22
代理机构 大连理工大学专利事务所 代理人 侯明远
主权项 1.全元素离子束材料表面改性方法,是在由真空室(1)、水冷工件台(2)、工件(3)、全元素离子束注入源(4)、离子溅射源(5)、原子溅射靶(6)等组成的设备中完成的,其特征在于:将清洗的工件(3)放在真空室(1)内的可转动水冷工件台(2)上,真空抽至10-4~10-3Pa,离子溅射源(5)通入氩气,形成氩离子束,射到原子束溅射靶(6)上,从靶材上溅射下原子,沉积在工件(3)表面上;与此同时,由离子注入源(4)引出气体离子束、金属、碳、硅或硼单一离子束,或者同时引出气体和金属离子束注入到工件表面,形成各种功能膜和多层复合膜。
地址 116024辽宁省大连市凌水河