| 发明名称 | 半导体器件薄膜的平面化方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件薄膜平面化方法，它通过改善平面化的方法可以提高器件的产量，该方法是在具有高拓扑结构的绝缘膜上涂敷光致抗蚀剂，用低能量曝光，在显影处理过程中保留处在绝缘膜凹陷部分的光致抗蚀剂，然后利用保留的光致抗蚀剂作为蚀刻阻挡层蚀刻暴露的绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1148264A | 申请公布日期 | 1997.04.23 |
| 申请号 | CN96110421.X | 申请日期 | 1996.06.20 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 权炳仁 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种半导体薄膜平面化的方法，包括以下步骤：在具有拓扑结构的薄膜上涂敷光致抗蚀剂；除去部分所述光致抗蚀剂，保留在所述薄膜凹陷部分上的所述光致抗蚀剂，由此暴露所述薄膜的峰顶部分；除去所述薄膜的所述峰顶部分；除去涂敷在所述薄膜凹槽部分上的所述光致抗蚀剂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||