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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Gräben mit abgerundeter Unterseite in einem Siliziumsubstrat zur Herstellung von Isolationen für Grabenstrukturen
摘要
申请公布号 DE68927852(D1) 申请公布日期 1997.04.17
申请号 DE1989627852 申请日期 1989.12.06
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT 发明人 CROTTI, PIERLUIGI, I-27015 LANDRIANO, IT;IAZZI, NADIA, I-26100 CREMONA, IT
分类号 H01L21/76;H01L21/308;H01L21/32;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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