等离子处理方法及设备

摘要

在等离子处理方法中，通过将基片置于真空腔内的电极上、把气体导入真空腔并同时排出内部气体、向螺旋放电线圈施加高频电压并同时使真空腔内保持某一压力，以在真空腔内产生等离子体，从而处理基片，其特征在于：在处理基片时，至少改变气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一。该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择，使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。

主权项

1.一种等离子处理方法，该方法通过把基片置于真空腔(5)中的电极(7)上、将气体导入真空腔、同时排放内部气体，向螺旋放电线圈(1、201、31、41、51、61、81、91)施加高频电压并使真空腔内部保持某一压力以在真空腔内产生等离子体来处理基片(8)，其特征在于：在处理基片时，至少气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一被改变；该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择，使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。