半导体集成电路装置及其制造方法

摘要

在形成于半导体基板上边的基底绝缘膜的上边形成由下部电极、由强电介质构成的陶瓷电容器膜和上部电极构成的强电介质电容器。在半导体基板的上边形成层间绝缘膜，使得把强电介质电容器覆盖起来，并在层间绝缘膜的上边形成电极布线。在存在于上部电极的侧面和陶瓷电容器膜的上表面的交点与陶瓷电容器膜的侧面和下部电极的上表面的交点之间的陶瓷电容器膜的表面的长度L，和陶瓷电容器膜的厚度D之间，L≥2D的关系成立。

主权项

1.一种半导体集成电路装置、具备有半导体基板和、叠层电容器，该电容器由在上述半导体基板的一个主面上顺次形成的下部电极、具有钙钛矿构造的陶瓷薄膜构成的陶瓷电容器膜和上部电极构成；上述上部电极的侧面位于比上述陶瓷电容器膜的侧面往里的位置上，同时，上述陶瓷电容器膜的侧面位于此上述下部电极的侧面往里的位置上；在存在于上述上部电极的侧面和上述陶瓷电容器膜的上表面的交点与上述陶瓷电容器膜的侧面和下部电极的上表面的交点之间的上述陶瓷电容器膜的表面的长度L和上述陶瓷电容器膜的厚度D之间，L≥2D的关系成立。