| 发明名称 | 生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法 | ||
| 摘要 | 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。 | ||
| 申请公布号 | CN1034455C | 申请公布日期 | 1997.04.02 |
| 申请号 | CN93105939.9 | 申请日期 | 1993.05.21 |
| 申请人 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 发明人 | 程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军 |
| 分类号 | H01S3/19;H01L33/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01S3/19 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种生长激光二极管中量子阱的分子束外延(MBE)系统的操作方法，该系统有一个生长室和至少一种II族元素源及至少一种VI族元素源，用以在II-VI族化合物半导体电发光器件制作期间，在一衬底及任意初始生长层上生长量子阱有源层，该方法包括：在MBE生成室中加热衬底和初始生长层，把衬底和初始生长层加热到小于或等于200℃；向MBE生成室中交替注入II族和VI族元素；生长至少包含两层II族和VI族元素的重叠单原子层的量子阱层。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||