MANUFACTURE OF POLYSILICON GATE FOR MOS TRANSISTOR,申请号JP19950262466-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	MANUFACTURE OF POLYSILICON GATE FOR MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH0982946(A)	申请公布日期	1997.03.28
申请号	JP19950262466	申请日期	1995.09.14
申请人	RICOH CO LTD	发明人	KATO SEIICHI
分类号	H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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