| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif à semiconducteur pourvu d'une interconnexion en alliage de cuivre présentant une largeur de ligne inférieure à celle des interconnexions traditionnelles en cuivre, une faible résistance et une grande fiabilité. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit dispositif à semiconducteur. Une ouverture (400) pratiquée dans un film isolant (201) formé sur un substrat semiconducteur (100) est obturée avec une interconnexion (302A) en alliage de cuivre et avec un élément qui accélère la diffusion superficielle du cuivre. Etant donné que l'interconnexion contient du cuivre ainsi que l'élément qui accélère la diffusion superficielle du cuivre, l'ouverture (400) présentant une largeur extrêmement réduite est obturée de façon extrêmement simple avec l'alliage de cuivre (302), et il est possible d'obtenir une interconnexion fine (302A) en alliage de cuivre d'une grande fiabilité.</p> |
