| 发明名称 |
Field effect transistor with a self aligned gate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2304997(A) |
申请公布日期 |
1997.03.26 |
| 申请号 |
GB19960013996 |
申请日期 |
1996.07.04 |
| 申请人 |
* MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
TAKAYUKI * HISAKA;KENJI * HOSOGI;NAOHITO * YOSHIDA |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/265;H01L21/338;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/338 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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