| 发明名称 |
Method of forming a contact hole in semiconductor integrated circuit |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5032528(A) |
申请公布日期 |
1991.07.16 |
| 申请号 |
US19900538764 |
申请日期 |
1990.06.15 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
ASAO, YOSHIAKI;SAWADA, SHIZUO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/316;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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