发明名称 CMOS混合式A/AB级输出功率放大器
摘要 本发明提出一个新的CMOS混合式A/AB级功率输出放大器。此新的CMOS混合式A/AB级输出功率放大器结合了 CMOS A级输出放大器之线性优点及CMOS AB级输出放大器之速度及功率效率之优点。与现有的CMOS A级输出功率放大器及现有CMOS AB级输出功率放大器比较,此新CMOS混和式A/AB级输出功率放大器有更好的转动(slew)速度及较小的扭曲(THD)。
申请公布号 TW301079 申请公布日期 1997.03.21
申请号 TW085105697 申请日期 1996.05.14
申请人 行政院国家科学委员会 台北巿和平东路二段一○六号 发明人 郭正邦;楼志宏
分类号 H03F3/21 主分类号 H03F3/21
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1. 一种CMOS混合式A/AB级输出功率放大器,包含有:一源极随耦电路,由两个CMOS电晶构成,提供该AB级输出功率放大电路的参考电压;一AB级输出功率放大电路;和一主动下拉电路,其输出系耦合于该源极随耦电路之一电晶体的闸极,用以控制该电晶体的泄极电压,以使其输出的参考电压时保持恒定。2. 根据申请专利范围第1项之功率放大器,其中该主动下拉电路包含:一分压电路,由两只电晶体构成,用以提供输入电压之分压作用;一受控电流源,系受该分压电路之输出电压之控制;和一电流镜,与该源极随耦电路共有一电晶体。3. 根据申请专利范围第1项之功率放大器,其中该参考电压系由该源极随耦电路的输入级所提供。4. 根据申请专利范围第1项之功率放大器,其中该源极随耦电路为一A级电路。5. 根据申请专利范围第2项之功率放大器,其中该随耦电路与电流镜所共有之电晶体的闸级电压系由该主动下拉电路所驱动,使其输出电压与输入电压成反比。6. 根据申请专利范围第1项之功率放大器,可用于高速之应用。7. 根据申请专利范围第1项之功率放大器,其中该主动下拉电路与源级随耦电路可用于级—移相(level-shifter)电路中。图示简单说明:图1所示为传统的A级CMOS输出功率放大器;图2所示为根据本发明之混合式A/AB级CMOS输出放大器之简化示意图;图3所示为根据本发明之混合式A/AB级CMOS输出放大器之电路图,其中增加有一主动拉下电路;图4所示以1(CMOS制作一根据本发明之混合式A/AB级CMOS输出放大器之参考电压(Vref)与输入电压(Vin)之实验数据图;图5所示为传统的CMOS A级和本发明之A/AB级输出功率放大器的总谐波失真与输入讯号之曲线图;和图6所示为传统的CMOS A级和本发明之A/AB级输出功率放
地址 台北巿和平东路二段一○