Integrierter bipolarer Hochspannungsleistungstransistor und Niederspannungs-MOS-Transistorstruktur in Emitterumschaltkonfiguration und Herstellungsverfahren
摘要
申请公布号
DE3855603(T2)
申请公布日期
1997.03.13
申请号
DE19883855603T
申请日期
1988.12.16
申请人
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT
发明人
FRISINA, FERRUCCIO, I-95100 CATANIA CT, IT;FERLA, GIUSEPPE, I-95100 CATANIA CT, IT
