Sputtering target and method for its manufacturing

摘要

Es sind Targets für die Kathodenzerstäubung auf Basis von heißgepreßtem oder isostatisch heißgepreßtem Indiumoxid/Zinnoxid-Pulver mit einer Dichte von mindestens 95 % der theoretischen Dichte und mit einem unterstöchiometrischen Sauerstoffgehalt bekannt. Um hiervon ausgehend ein Target anzugeben, das sich durch hohe Festigkeit und gleichzeitig hoher Sputterrate auszeichnet, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß das Target eine Kristallphase aufweist, die mit einem Gewichtsanteil von mindestens 90 %, vorzugsweise mindestens 97 % als Mischkristall von Indiumoxid und Zinnoxid ausgebildet ist, und die eine mittlere Korngröße zwischen 2 µm und 20 µm aufweist. Um ein einfaches und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines Targets aus einem Indiumoxid/Zinnoxid-Ausgangspulvers bereitzustellen, das eine definierte Einstellung des Sauerstoffgehaltes und eine homogene chemische Zusammensetzung über das gesamte Target-Volumen erlaubt, wird vorgeschlagen, ein durch Oxidation von fein verteiltem Indium-Zinn-Metall erzeugtes Ausgangspulver einzusetzen.