发明名称 半桥式驱动电路
摘要 一种用以驱动一具有在一高压输出端处所共同耦合之高处及低处功率电晶体之半桥式输出级之积体半桥式驱动电路包括一低压控制电路及一设于此积体电路内之浮动井﹐该浮动井具有用以控制高处功率电晶体之致动的一定时电路。该驱动电路再包括一用以将一控制信号自低压控制电路耦合至浮动井之定时电路之高压介面电路。依此方式﹐由于控制及定时电路中之较低功率耗散﹐乃获致一能在高频工作之积体半桥式驱动电路。
申请公布号 TW299959 申请公布日期 1997.03.01
申请号 TW085205409 申请日期 1996.04.15
申请人 飞利浦电子股份有限公司 发明人 史帝芬.勒.王
分类号 H05B41/231 主分类号 H05B41/231
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种用以驱动半桥式输出级之半桥式驱动电路,该半桥式输出级具有在一高压输出端处所共同耦合之高处及低处功率电晶体之半桥式输出级,该电路包括:一具有耦合于该低处功率电晶体之一控制端之一低压输入端及一控制输出端之低压控制电路,及一浮动井,该浮动井之一浮动通地节点系耦合于该高压输出端,其特点为浮动井包括一用以控制该高处功率电晶体之致动的定时电路及其中半桥式驱动电路包括一用以将该低压控制电路之控制输出耦合于该定时电路之高压介面电路。2.根据申请专利范围第1项之半桥式驱动电路,其中该定时电路包括一用以自该控制输出所提供之一信号产生一以该浮动通地节点为基准之衰变电压信号之RC 网路。3.根据申请专利范围第2项之半桥式驱动电路,其中该浮动井再包括用以产生以该浮动通地节点为基准之第一及第二参考电压之装置,该第一参考电压系小于该衰变电压信号之初値及该第二参考电压系小于该第一参考电压,该高处功率电晶体在当该衰变电压信号到达该第一参考电压之数値时乃作用及当该衰变电压信号到达该第二参考电压之数値时乃无作用。4.根据申请专利范围第3项之积体半桥式驱动电路,其中该浮动井再包括一用以将该衰变电压信号与该第一参考电压相比较以控制该高处功率电晶体之活化之第一比较器及一用以将该衰变电压信号与该第二参考电压相比较以控制该高处功率电晶体之静化之第二比较器。5.根据申请专利范围第3项之半桥式驱动电路,其中用以产生第一及第二参考电压之装置包括第一及第二电容器,第一及第二电容器中间每个之一第一端系耦合于该浮动通地节点。6.根据申请专利范围第5项之半桥式驱动电路,其中第一及第二大致恒定电压系在该低压控制电路中产生,及该高压介面电路包括用以将第一及第二大致恒定电压分别耦合于该第一及第二电容器之第二端以产生该浮动井中之该第一及第二参考电压之第一及第二二极体。7.根据申请专利范围第6项之半桥式驱动电路,其中该高压介面电路再包括一用以将控制输出耦合于定时电路中之该RC网路之第三二极体。8.根据一个以上先前申请专利范围之半桥式驱动电路,其中半桥式驱动器之至少一部份系一积体电路。图示简单说明:图1显示根据本创作之一积体半桥式驱动电路之一方块图;图2显示图1之积体半桥式驱动电路之一简化概略图;及图3a,3b及3c显示在图2中所示电路之工作期间所产生之
地址 荷兰