| 发明名称 |
LONGITUDINAL TYPE IGFET STRUCTURE THAT HAS LOW ON RESISTANCEAND METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0955506(A) |
申请公布日期 |
1997.02.25 |
| 申请号 |
JP19960044162 |
申请日期 |
1996.02.06 |
| 申请人 |
MOTOROLA INC |
发明人 |
RINITSUTA KEI NOTSUCHI;PAKU TAMU |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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