半导体晶圆之制造方法(二)

摘要

〔课题〕在半导体晶圆之加工工程中，使用硷溶液蚀刻经粗研磨等之平滑加工后之晶圆，同时维持高平坦度。〔解决方法〕将铸块切片而得晶圆。将经切片之晶圆的周缘部去角。在蚀刻工程之前使得半导体晶圆１之加工不平层２均一平面化。使用硷溶液蚀刻经不平层平滑加工后之半导体晶圆１之加工不平层２。镜面加工经蚀刻之晶圆的表面。将表面经镜面加工之晶圆洗净。

主权项

1.一种半导体晶圆之制造方法,由下列工程所构成: 铸块切断工程,将铸块切片而得晶圆; 去角工程,将经切片之晶圆的周缘部去角; 不平层平滑加工工程,将经去角之半导体晶圆的加工不平层均一平面化; 蚀刻工程,使用硷溶液进行蚀刻以除去经均一平面化之半导体晶圆的加工不平层; 研磨工程,将经蚀刻之半导体晶圆的表面实施镜面加工; 洗净工程,将表面经镜面加工之半导体晶圆洗净。2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶圆的制造方法,其中,前述不平层平滑加工工程为,藉由粗研磨加工工程以平面化晶圆之切断面,且在该粗研磨加工工程中之研磨粒为#1200以上。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体晶圆的制造方法,其中,前述不平层平滑加工工程为,使用具有流体轴承机构之粗研磨装置。图示简单说明:图1系显示本发明的实施形态之半导体晶圆的制造工程图。图2系显示在同图1之半导体晶圆的各工程中之表面状态之重要部位的侧剖面图。图3系显示习知之半导体晶圆的各工程中之表面状态之重