| 发明名称 |
MOSFET WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0756758(A1) |
申请公布日期 |
1997.02.05 |
| 申请号 |
EP19960906497 |
申请日期 |
1996.02.14 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
LUICH, THOMAS, M. |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/8249;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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