首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 PLASMA ETCHING METHOD FOR LOW-DIELECTRIC CONSTANT SILICON OXIDE INSULATION FILM
摘要
申请公布号 JPH0927472(A) 申请公布日期 1997.01.28
申请号 JP19950177694 申请日期 1995.07.13
申请人 SONY CORP 发明人 YANAGIDA TOSHIHARU
分类号 H01L21/302;C23F4/00;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com