| 发明名称 |
Method of producing semiconductor wells of different doping level |
| 摘要 |
Bei einem Verfahren zur Herstellung von mindestens zwei MOS- Transistoren (1, 2) in einem Halbleiterkörper (9) wird ein Wannendotierungsgebiet (3) erzeugt, in dem die Dotierungsmaske im Abschnitt der zu erzeugenden Wanne (3) mit für den Dotierstoff nichtdurchlässigen Bereichen (30a-30e) strukturiert ist. Nach einer Diffusion stellt sich in der Wanne (3) eine Ladungsträgerkonzentration ein, die im Vergleich zu einer gleichzeitig hergestellten herkömmlichen Wanne (10) niedriger ist. Die Wanne (3) dient als Ladungsträgersenke für einen Transistor (1) von hoher Spannungsfestigkeit, während der in der herkömmlichen Wanne hergestellte Transistor (2) niedrige Spannungsfestigkeit, aber geringe Fläche für hohe Packungsdichte aufweist. <IMAGE> <IMAGE> <IMAGE>
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| 申请公布号 |
EP0755073(A1) |
申请公布日期 |
1997.01.22 |
| 申请号 |
EP19960111247 |
申请日期 |
1996.07.11 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
PFIRSCH, FRANK, DR. RER.NAT. |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L21/266;H01L21/336;H01L21/8222;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/092;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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