| 主权项 |
1. 一种多晶片封装的积体电路构造,其包括:一模组,其底部具有复数个导体区,又该模组中具有适当的布局线路,且包括有复数个晶片室,该些晶片室的排列方式是由内而外呈平行配置;每一晶片室包括有:一基座,环绕在该晶片室底部;以及复数个导电带,位于该基座上,透过该模组中的适当布局线路与对应之导体区相连;复数个金属球;一第一型晶片,具有一第一正面与一第一背面,该第一正面之表面具有复数个导电区窗口;该第一型晶片放在对应之晶片室的基座上,且该第一正面朝向对应之晶片室的底部,利用该此金属球将该第一型晶片之该些导电区窗口黏着于对应之基座上的该些导电带上;一接着剂;复数个导线;一第二型晶片,具有一第二正面与一第二背面,其中该第二正面表面具有复数个导电区窗口,利用该接着剂将该第二型晶片的第二背面与该第一型晶片的第一背面黏贴在一起,同时利用该些导线,并连接至对应之晶片室的基座上的该些导电带上;一封盖,覆盖在该模组最外层的晶片室上,将晶片密封在该模组内;以及一脚座,藉接至该模组底部之该此导电区。2. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该模组的材料是一陶瓷材料。3. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该模组的材料是一塑胶材料。4. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该些晶片室之尺寸由内而外增加,越外层晶片室,其面积越大。5.如申请专利范围第1项所述之构造,其中该封盖是一金属盖。6. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该些金属球是锡球。7. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该些金属球是金球。8. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该接着剂是银胶。9. 如申请专利范围第1项所述之构造,其中该脚座是一针格阵列脚座。图示简单说明:第1图是习知一种多晶片封装之积体电路的剖面图;第2A图是根据本创作之一较佳实施例,一种多晶片封装构造的上视图;第2B图是根据本创作之一较佳实施例,一种多晶片封装构造的底视图;第3图是对应第2A图之较佳实施例,沿着Ⅲ-Ⅲ线剖开的剖面图;第4A图是绘示应用第2A-2B图及第3图所示结构的第一晶片的上视图。第4B图是绘示应用第2A-2B图及第3图所示结构的第二晶片的上视图。第4C图是绘示应用第2A-2B图及第3图所示结构的第一晶片的底视图。第4D图是绘示应用第2A-2B图及第3图所示结构的第二晶片的底视图。第5A-5D图是绘示应用第2A-2B及第3图所示结构的多晶片封装之积体电路的部份制造流程剖面图。第6A图是绘示应用第2A-2B图及第3图所示结构的针格阵列脚座的上视图。第6B图是绘示应用第2A-2B图及第3图所示结构的针格阵列脚座的侧视图。第7图是绘示应用第5D图所示的结构结合针格阵列脚座之 |
