| 发明名称 |
VAPOR EPITAXIALLY GROWING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH097952(A) |
申请公布日期 |
1997.01.10 |
| 申请号 |
JP19950153518 |
申请日期 |
1995.06.20 |
| 申请人 |
HITACHI CABLE LTD |
发明人 |
MEGURO TAKESHI;NAGAI HISATAKA;SAKAGUCHI HARUNORI |
| 分类号 |
H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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