发明名称 源层上电镀导电层的方法
摘要 一种在具有已形成图案的源层的衬底上形成导电层的方法,包括下述步骤:(a)在己形成图案的源层上和未被已形成图案的源层遮盖的那部分衬底上淀积出介电层;(d)在介电层顶面形成光刻胶层;(e)通过光刻胶层来形成图案构成掩膜;(f)藉助掩膜,对在已形成图案的源层顶面上形成的那部分介电层进行选择性腐蚀,继而显露出形成图案的源层;(g)在裸露的已形成图案的源层上电镀出导电层。
申请公布号 CN1139708A 申请公布日期 1997.01.08
申请号 CN96101196.3 申请日期 1996.02.14
申请人 大宇电子株式会社 发明人 卢载遇
分类号 C25D5/02 主分类号 C25D5/02
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 邵伟
主权项 1、一种在具有顶表面的衬底上形成导电层的方法,所说的方法包含下述步骤:(a)在衬底顶表面上形成一个源层;(b)按照预定图案使源层形成图案;(c)在已形成的图案的源层上和未被该源层遮盖住的那部分衬底上淀积出介电层;(d)在介电层顶面上形成光刻胶层;(e)通过使光刻胶层形成图案的方法形成掩膜;(f)藉助于掩膜,将选定的源层顶面上形成的介电层部分选择性地腐蚀掉,从而使选定的源层显露出来;(g)在裸露的选定源层上电镀出导电层。
地址 韩国汉城