| 发明名称 |
Niet-vluchtige halfgeleidergeheugencel. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
NL192066(C) |
申请公布日期 |
1997.01.07 |
| 申请号 |
NL19890002027 |
申请日期 |
1989.08.08 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C17/00;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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