快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

摘要

根据本发明的Split栅型快速EEPROM单元，利用一加到用厚绝缘膜将隧道区与沟道隔离的结构上的高电压，执行编程和擦除操作，此时该单元能防止结区和栅极间的层叠区的强电场引发的带间隧穿和二次热载流子所导致的单元的隧道氧化膜的减薄。

主权项

1、一种制造快速EEPROM单元的方法，包括以下步骤：在硅基片的一区域形成一隐埋漏区；形成第一和第二场氧化层，其中所说第二场氧化层是在所说隐埋漏区的所说硅基片上形成，所说第一场氧化层是在与第二场氧化层相距一定距离的硅基片的一部分上形成； 在所说第一和第二场氧层之间的所说硅基片上形成栅氧化层；在形成所说栅氧化层后，在生成结构上依次形成第一多晶硅层和层间绝缘层；依次形成所说层间绝缘层、所说第一多晶硅层和所说栅氧化层图形，由此形成控制栅；在所说控制栅和所说第二场氧化层之间的所说硅基片上形成漏区，使所说漏区与所说隐埋漏区连接；在形成所说漏区后，在生成结构上形成浮栅氧化层，其中在所说漏区上形成的所说浮栅氧化层比在其它区上形成的所说浮栅氧化层厚； 刻蚀在所说漏区和第二场氧化层上形成的所说浮栅氧化层的一部分，露出所说漏区与所说场氧化层重叠的部分；除去在所说第一场氧化层和所说控制栅之间的硅基片上的所说浮栅氧化层；依次形成隧道氧化层和第二多晶硅层；通过形成所说第二多晶硅层图形，形成浮栅；和在所说第一场氧化层和所说控制栅间的所说硅基片上形成源区。