发明名称 CMOS INTEGRATED MICROSENSOR WITH A PRECISION MEASUREMENT CIRCUIT
摘要 <p>L'invention concerne des microcapteurs perfectionnés obtenus par la combinaison de substrats (48) micro-usinés en surface, comprenant des circuits CMOS intégrés (50) ainsi que des substrats (16) fixés à la plaquette et micro-usinés en profondeur comprenant au moins une partie d'un élément de détection micro-électromécanique. Dans le cas d'un accéléromètre (46), la masse étalon (52) se trouve à l'intérieur du substrat fixé à la plaquette et usiné en profondeur, qui est fixé au substrat à CMOS micro-usiné en surface, qui possède des puits de gravure (62) correspondants au-dessus desquels se trouve le substrat fixé à la plaquette. D'autres types de détecteurs, tels que des détecteurs acoustiques ou des détecteurs à infrarouge, comportent des membranes à couche mince. Une électrode (60) de capteur différentiel est suspendue au-dessus des puits de gravure (62), de sorte que la capacité parasite du substrat est supprimée du capteur de capacité, ou, dans le cas d'un détecteur à infrarouge, afin de constituer une cavité à faible conductance thermique sous la couche mince réfractaire pyroélectrique. Quand on utilise une électrode suspendue à une membrane au-dessus d'un puits de gravure, une ou plusieurs ouvertures sont définies à travers ce dernier, de manière à éviter tout amortissement du film à densité et à largeur variables.</p>
申请公布号 WO1996042111(A1) 申请公布日期 1996.12.27
申请号 US1996009957 申请日期 1996.06.07
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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