半导体腐蚀方法及用该腐蚀方法制造半导体器件的方法

摘要

提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐蚀方法，包括：用一种含有组成III-V族化合物半导体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下，对其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液，该腐蚀方法可在晶体生长设备中使用。再者，由于用III-V族化合物半导体层的材料气体作腐蚀气体，故能防止在被腐蚀的表面上出现残留杂质，从而保持了被腐蚀表面的清洁。

主权项

1.一种半导体腐蚀方法，包括：把III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下、利用含有组成上述III-V族化合物半导体层的V族材料的腐蚀气体腐蚀上述III-V族化合物半导体。