| 主权项 |
1. 一种液晶显示装置,备有,在绝缘性透明基板上 介由 薄膜电晶体形成显示画素电极之行列基板,介由空 隙面对 此行列基板之相对基板,形成在此等行列基板及相 对基板 周围之具有注入口之封装用之密封剂,由上述注入 口注入 在上述行列基板与上述相对基板间之液晶,以及, 封闭上 述注入口之封闭剂,其特征为 在上述行列基板上具有,形成在去除上述显示画素 电极以 外之非画素领域,且从上述非画素领域延伸重叠状 形成在 上述显示画素电极之周缘之保护膜。2. 如申请专 利范围第1项所述之液晶显示装置,其中 上述薄膜电晶体系,在于绝缘性基板上依序积层形 成有闸 极及闸绝缘膜,在对应上述闸极之闸绝缘膜上积层 形成半 导体层,同时在此半导体层上分别形成有源极及吸 极者。3. 如申请专利范围第1项或第2项所述之液 晶显示装置, 其特征为,上述保护膜仅在注入口之周边,以重叠 状形成 在上述显示画素电极之周缘。4. 如申请专利范围 第1项或第2项所述之液晶显示装置, 其特征为,上述保护膜仅在注入口周边之半径3cm以 内, 以重叠状形成在上述显示画素电极之周缘。5. 如 申请专利范围第1项或第2项所述之液晶显示装置, 其特征为,上述保护膜系沿着密封剂及封闭剂,以 重叠状 形成在上述显示画素电极之周缘。6. 如申请专利 范围第1项或第2项所述之液晶显示装置, 其特征为,上述保护膜系沿着密封剂及封闭剂之1-3 cm之 领域内,以重叠状形成在上述显示画素电极之周缘 。7. 如申请专利范围第1项或第2项所述之液晶显 示装置, 其特征为,上述保护膜系以重叠状,全面形成在上 述显示 画素电极之周缘。8. 如申请专利范围第1项或第2 项所述之液晶显示装置, 其特征为,保护膜在显示画素电极重叠之宽度为2( 以上 ,7(以下。9. 如申请专利范围第2项所述之液晶显 示装置,其特征为 ,闸绝缘膜包含,以常压CVD法两次以上积层成膜之 膜厚 度200nm以上,400nm以下之氧化矽膜。10. 一种液晶显 示装置之制造方法,其特征为,包含: 在绝缘性透明基板上形成闸极及闸绝缘膜, 在对应此闸极之闸绝缘膜上积层形成半导体层, 在此半导体层上分别形成源极与吸极, 在离开上述闸极之闸绝缘膜上,以图型形成连接于 此吸极 之显示画素电极, 以重叠状在上述显示画素电极之周缘形成保护膜, 而形成 具有薄膜电晶体之行列基板, 介由空隙面向此行列基板形成相对基板, 在此等行列基板与相对基板之周围形成有注入口 之封装用 之密封剂, 从上述注入口向上述行列基板与上述相对基板间 注入液晶 ,以及, 以封闭剂封闭上述注入口。图示简单说明: 第1图系表示本发明液晶显示装置之一实施例之截 面图。 第2图系同上之平面图。 第3图系表示同上之经过长时间变化后之画质之劣 化状态 之曲线图。 第4图系表示传统例子之液晶显示装置之截面图。 第5图系同上之平面图。 第6图系同上之放大注入口附近以表示画质之劣化 状态之 说明图。 第7图系同上之表示注入口附近之画质劣化状态之 说明图 。 第8图系同上之表示封闭剂周边之画质之劣化状态 之说明 |
