| 发明名称 |
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION A BASE DE MICROONDAS. |
| 摘要 |
EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MANUFACTURADOS POR UN PROCESO DE DEPOSICION POR MICROONDAS SE INCREMENTA DISPONIENDO UN CABLE DE DESVIO EN EL PLASMA ENERGIZADO DE MICROONDAS Y APLICANDO UN VOLTAJE POSITIVO DE APROXIMADAMENTE 100 VOLTIOS AL CABLE DURANTE SOLAMENTE UNA PARTE DEL TIEMPO EN EL CUAL ESTA SIENDO DEPOSITADA LA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA (12A, 12B).
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| 申请公布号 |
ES2092804(T3) |
申请公布日期 |
1996.12.01 |
| 申请号 |
ES19930900605T |
申请日期 |
1992.11.23 |
| 申请人 |
UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION |
发明人 |
GUHA, SUBHENDU;BANERJEE, ARINDAM;YANG, CHI, C. |
| 分类号 |
C23C16/511;H01J37/32;H01L31/075;H01L31/20;(IPC1-7):H01L31/18;H01L21/205 |
主分类号 |
C23C16/511 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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