发明名称 Feld-Effekt-Transistor mit Gate-Abstandsstück
摘要
申请公布号 DE69027832(T2) 申请公布日期 1996.11.28
申请号 DE19906027832T 申请日期 1990.10.10
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 LEE, KUO-HUA, WESCOSVILLE, PENNSYVANIA 18106, US;LU, CHIH-YUAN, WESCOSVILLE, PENNSYVANIA 18106, US;SUNG, JANMYE, ALLENTOWN, PENNSYVANIA 18103, US
分类号 H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/033 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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