| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen GaAs-Detektor zur Strahlungsanzeige mit einem höheren Wert für die Durchbruchspannung und einem höheren Aufnahmegrad für die Ladung sowie einer besseren Auflösung in Energie und einem größeren Widerstand gegen Strahlung. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zu seiner Herstellung. Dabei beinhaltet der GaAs-Detektor eine monokristalline Abdeckschicht (6) mit hohem Widerstand mit einer Fangstellendichte, die größer als 1017 cm-3 ist, wobei die Schicht wenigstens auf einer Seite der GaAs-Scheibe, über der GaAs-Fläche, in bevorzugter Weise aufgrund Epitaxie-Wachstums mittels molekularer Bündel (MBE) mit Molekularflüssen des Ga und des As bei einer abgesenkten Temperatur der Scheibe zur Bildung einer Schicht, die in hohem Grade nicht stöchiometrisch aufgebaut ist, und einer größten Dicke von 20 nm abgelagert ist.</p> |
