| 发明名称 | 制造半导体器件的方法及晶体生长促进剂 | ||
| 摘要 | 本申请公开了在比先有技术温度为低的温度下使无定形硅膜晶氏的技术。一种含有能促进硅晶化的金属元素的溶液104涂到无定形硅膜103的表面上，把经过这样涂敷的膜加热而获得结晶形硅膜105。溶液104中加有表面活化剂。因此，使金属元素扩散而引入硅膜中，同时抑制了由于在硅膜中形成金属硅化物所引起的漏电流的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1132409A | 申请公布日期 | 1996.10.02 |
| 申请号 | CN95121314.8 | 申请日期 | 1995.12.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;宫永昭治 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括下列步骤：将含有能促进硅晶化的金属元素的含有表面活化剂的溶液涂到无定形硅膜的表面，以及对上述硅膜加热而使之晶化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||