| 发明名称 |
METHOD FOR GROWING GAAS SINGLE CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH08253396(A) |
申请公布日期 |
1996.10.01 |
| 申请号 |
JP19950054552 |
申请日期 |
1995.03.14 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
发明人 |
HASHIO KATSUSHI;TATSUMI MASAMI;SAWADA SHINICHI |
| 分类号 |
C30B15/02;C30B15/20;C30B27/02;C30B29/42;H01L21/208;(IPC1-7):C30B29/42 |
主分类号 |
C30B15/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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