PROCESS FOR APPLYING A METALLISATION LAYER ON AN INSULATOR AND FOR PIERCING THROUGH-HOLES IN SAID INSULATOR BY MEANS OF A SINGLE MASK

摘要

Beschrieben ist ein Verfahren, mit dem auf einem Isolator eine Metallisierung aufgebracht werden kann und mit derselben Maske in dem Isolator Durchgangslöcher geöffnet werden. Ein Substrat (1) hat eine erste (3) und eine zweite (4) Isolierschicht auf der Oberfläche (2) des Substrats (1), eine Abdeckschicht (5) auf der zweiten Isolierschicht (4), eine strukturierte Maskenschicht (6) auf der Abdeckschicht (5) sowie von der Substratrückseite bis an die Substratoberfläche (2) reichende, mit Metall gefüllte Durchgangsöffnungen (7). Die Maskenschicht (6) ist so struckturiert, dass sie in den Bereichen über den Durchgangsöffnungen (7) und in den mit einer Metallschicht (8) zu belegenden Bereichen Öffnungen aufweist. Die Abdeckschicht (5) wird in den nicht von der strukturierten Maskenschicht (6) bedeckten Bereichen mittels eines ersten Ätzprozesses geöffnet. Danach wird die zweite Isolierschicht (4) in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen (7) liegenden Bereichen unter Verwendung einer dielektrischen Maske laserablattiert. Anschliessend wird gleichzeitig die erste Isolierschicht (3) in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen (7) liegenden Bereichen und die zweite Isolierschicht (4) in den mit einer Metallschicht (8) zu belegenden Bereichen mittels eines zweiten Ätzprozesses geöffnet, wobei die Durchgangsöffnungen (7) von der ersten Isolierschicht (3) vollständig befreit werden, in den mit einer Metallschicht (8) zu belegenden Bereichen die zweite Isolierschicht (4) vollständig entfernt wird und die erste Isolierschicht (3) auf der Substratoberfläche (2) im wesentlichen erhalten bleibt.