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发明名称 SURFACE TREATING METHOD OF LIQUID CRYSTAL PANEL
摘要 <p>PURPOSE:To lower the softening point of thin films for prevention of alkali elution, improve film quality and simplify treatment processes by forming SiO2 thin films diffused with B through the use of a specific ester solution of Si.</p>
申请公布号 JPS5382444(A) 申请公布日期 1978.07.20
申请号 JP19760158616 申请日期 1976.12.28
申请人 SUWA SEIKOSHA KK 发明人 NAKAMURA BUNKICHI
分类号 C03C17/25;C03C23/00;G02F1/13;G02F1/1337;G09F9/00 主分类号 C03C17/25
代理机构 代理人
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