制造半导体器件的方法

摘要

用含蒸汽和氧的混合气体首先氧化已形成的绝缘氧化膜，由此造成膜表面上残留易移动的离子的状态。随后为除去残留离子进行热氧化工艺。结果，促进绝缘氧化膜内部的氧化。并改善了绝缘氧化膜表面的绝缘性能。因此能获得有优异耐压特性和很小的或无漏电流的高绝缘电介质膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在1000℃以下的温度用包含蒸汽和氧的混合气体来氧化衬底上所形成的绝缘氧化膜；除去残留在绝缘氧化膜上的离子，以获得高绝缘的介质膜。