| 发明名称 |
METHOD FOR REDUCING ABNORMAL NARROW-CHANNEL EFFECT IN P-TYPEMOSFET HAVING BURIED-CHANNEL BOUNDED BY TRENCH |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH08241986(A) |
申请公布日期 |
1996.09.17 |
| 申请号 |
JP19950317997 |
申请日期 |
1995.12.06 |
| 申请人 |
SIEMENS AG;INTERNATL BUSINESS MACH CORP <IBM> |
发明人 |
YOHAN ARUSUMAIAA;JIYATSUKU EE MANDERUMAN |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L21/8242;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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