PROCEDIMIENTO DE DOS FASES PARA LA FABRICACION DE UNA CAPA DE OXIDO SOBRE UNA SUPERFICIE ESCALONADA DE UNA OBLEA DE SEMICONDUCTOR.

摘要

PRESENTAMOS UN PROCESO DE DOS ETAPAS PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO (40, 50) SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR (10) MIENTRAS SE INHIBE LA FORMACION DE VACIOS EN LA CAPA DE OXIDO QUE LLEVA EL DEPOSITO DE UNA CAPA (40) DE OXIDO DE SILICIO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR (10) EN UNA CAMARA CVD MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UNA MEZCLA GASEOSA EN LA CAMARA, LA CUAL LLEVA UNA FUENTE DE OXIGENO, DONDE UNA DE LAS PORCIONES LLEVA O SUB 3 Y TETRAETILORTHOSICICATO COMO FUENTE DE GAS DEL SILICE, MIENTRAS SE MANTIENE LA PRESION EN LA CAMARA CVD ENTRE LA GAMA DE LOS 250 TORR Y LOS 760 TORR Y A CONTINUACION SE DEPOSITA UNA SEGUNDA CAPA (50) DE OXIDO SOBRE LA PRIMERA CAPA (40) EN UNA CAMARA CVD MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UNA MEZCLA GASEOSA EN LA CAMARA. ESTA MEZCLA LLEVA UNA FUENTE DE OXIGENO, DONDE UNA DE LAS PORCIONES COMPRENDE O SUB 3; Y TETRAETILORTROSILICATO COMO FUENTE GASEOSA DEL SICILE, MIENTRAS SE MANTIENE LA CAMARA CVD A UNA PRESION MENOR QUE DURANTE LA PRIMERA ETAPA DE DEPOSICION.