| 发明名称 | 制造CMOS器件栅电极的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造CMOS器件栅电极的方法，包含步骤为在半导体衬底上，按顺序形成栅绝缘层，第一导电层和保护层；选择腐蚀保护层待形成PMOS晶体管的预定部分；在所述衬底的整个表面形成第二导电层；除掉形成在保护层上的第二导层，把保护层部分地腐蚀到预定的厚度；利用栅电极图形，把第二导电层，保护层，第一导电层和栅绝缘层形成图形。 | ||
| 申请公布号 | CN1130803A | 申请公布日期 | 1996.09.11 |
| 申请号 | CN95119914.5 | 申请日期 | 1995.11.08 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 金铉修;李忠勋 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1、一种制造CMOS器件栅电极的方法，其包含下列步骤：在半导体衬底上，顺次形成栅绝缘层，第一导电层和保护层；选择腐蚀所述保护层的待形成PMOS晶体管的预定部分；在所述衬底的整个表面形成第二导电层；除掉在所述保护层上面形成的第二导电层；把所述的保护层部分地腐蚀到预定的厚度；利用栅电极图形，把所述的第二导电层，所述的保护层，所述的第一导电层和所述栅绝缘层形成图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||