| 摘要 |
<p>Der Anmeldungsgegenstand betrifft eine mehrwertige Festwertspeicherzelle, die zum Speichern eines ersten oder zweiten Zustandes (M, M''') symmetrisch und zum Speichern mindestens eines dritten Zustandes (M', M') unsymmetrisch aufgebaut ist. Der hiermit erzielte Vorteil liegt vor allem darin, daß ohne nennenswerten Mehraufwand eine Verdopplung der Speicherkapazität erreicht wird, ohne daß der Störabstand gegenüber herkömmlichen Speicherzellen verschlechtert wird. Der Anmeldungsgegenstand eignet sich für elektrisch programmierbare und maskenprogrammierbare Festwertspeicher, insbesondere für solche in Niedervolttechnik.</p> |
