| 主权项 |
1.一种单结晶提拉装置,系具有: 覆盖单结晶材料溶融部的气密容器(12);将配置于 气密容器(12)内,以储存半导体融液(17) 的双重坩埚(13)构造,且在外坩埚(13a)内载置形状为 筒状隔间体的内坩埚(13b),于双重坩 埚(13)的外侧领域及内侧领域间设置连通之连通部 (13c)的双重坩埚(13);配置前述气密容 器(12)的内侧及该双重坩埚(13)的外侧,用于加热前 述双重坩埚(13)以形成半导体融液(17) 之加热器(14),及配置于前述气密容器(12)外侧,可施 加尖头(cups)磁场的尖头磁场施加装 置,藉由前述磁场施加装置所施加之磁场,使其磁 场为接近水平方向之位置,且系于较半导 体融液液面更低之处,同时,在前述内坩埚(13b)之连 通部(13c)把磁场控制成接近于垂直方 向者。2.如申请专利范围第1项之单结晶提拉装置, 其中,系于前述双重坩埚(13)的外侧领域配置 投置半导体原料的原料供应管(15),以双重坩埚(13) 的外侧领域作为半导体融液(17)的储存 领域,而将双重坩埚(13)内侧领域内的融液(17),以半 导体结晶予以提拉者。3.如申请专利范围第2项之 单结晶提拉装置,其中,前述双重坩埚(13)的连通部( 13c),系将 隔间体的内坩埚(13b)底部予以切割,以形成切口部 者。4.如申请专利范围第1项之单结晶提拉装置,其 中,施加前述尖头磁场的尖头磁场施加装置 ,系由上下两段的线圈(16a、16b)所形成,且将上段线 圈及下段线圈之电流控制为逆向电流 ,而使该线圈(16a、16b)可于半导体融液(17)内形成由 垂直方向弯曲为水平方向之尖头磁场 者。5.如申请专利范围第4项之单结晶提拉装置,其 中,系将前述2段线圈配置成可使得由前述尖 头磁场施加装置所施加且施加于半导体融液内之 垂直方向之磁场位置系与设于前述内坩埚底 部之连通部(13c)一致,而且上述水平方向的磁场之 位置系位于较半导体融液液面更低之处 者。6.如申请专利范围第5项之单结晶提拉装置,其 中,当提拉单结晶时坩埚(13)亦随着升降的 情况,为随时保持前述垂直方向的磁场位置与连通 部(13c)的位置一致,且将水平方向的磁 场保持于半导体融液液面下,将配合坩埚(13)的升 降而移动前述2段线圈。图示简单说明: 第一图系本发明之单结晶提拉装置之一实施形态 。 |
