| 主权项 |
1. 一种产生碳化矽单晶体之方法,其特征为:(a) 至少设计有一个不透气隔墙(20)所围绕的反应室(2),隔墙(20)至少在面向反应室(2)的内面(21)是由以化学蒸气沈积(CVD)所产生的碳化矽(SiC)所组成,(b) 隔墙(20)之碳化矽至少有一部份会被昇华,并在晶种(3)上生长而成碳化矽-单晶体(4)。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中至少一个反应室(2)的隔墙(20)由预先制成的模型体(23.24)所组成。3.根据申请专利范围第1项或第2项的方法,其中使用元素矽作为模型体(23,24)之间不透气的连接。4. 一种产生碳化矽单晶体之设备,其特征为:(a) 至少设计有一个由不透气隔墙(20)所围绕的反应室(2),隔墙(20)至少在面向反应室(2)的内面(21)是由以化学蒸气沈积(CVD)所产生的碳化矽(SiC)所组成,(b) 至少有一个晶种(3),其在面向反应室(2)的结晶表面(9)系用以生长SiC单晶体(4)。5. 根据申请专利范围第4项之设备,其中至少有一个晶种(3)配置在至少一个反应室(2)内。6. 根据申请专利范围第4项之设备,在此设备中至少有一个晶种(3)由碳化矽所组成,并形成反应室(2)之隔墙(20)的一部份。7. 根据申请专利范围第4项至第6项中任一项之设备,其中隔墙(20)由预先制成的模型体(23,24,25)所组成。8.根据申请专利范围第7项之设备,其中模型体(23,24)藉由元素矽之助,彼此不透气地连接。9. 根据申请专利范围第4项至第6项中任一项之设备,其中隔墙(20)由碳化矽所组成的部份,至少尽可能为多晶体碳化矽。10. 根据申请专利范围第4项至第6项中任一项之设备,其中隔墙(20)由碳化矽所组成的部份,至少尽可能为非晶形碳化矽。11. 根据申请专利范围第4项至第6项中任一项之设备,其中至少在隔墙(20)之昇华区域(22)内碳化矽中矽(Si)对碳(C)的化学计量比例,不可有大于5%的偏差。12. 根据申请专利范围第4项至第6项中任一项之设备,其中至少有一个反应室(2)配置热力设备(50,51,6,7,8),以便在隔墙(20)之昇华区域(22)内加热并昇华至少一部份的碳化矽,并作为至少在一个反应室(2)内介于昇华区域(22)和晶种(3)之间预定之温度分布的调整之用。13. 根据申请专利范围第4项至第6项中任一项之设备,其中隔墙(20)碳化矽内产生的杂质成份,基本上不要超过10@su1@su5㎝@su-@su3。图示简单说明:图1以横切面显示产生SiC单晶体设备的一种实施例。图2及3用在反应室中产生模型体之设备的一种实施例。图4及5用在反应室中产生模型体的实施例。 |
