| 发明名称 |
Grabengate-Leistungs-MOSFET mit Schutzdioden in periodischer Anordnung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69617098(D1) |
申请公布日期 |
2002.01.03 |
| 申请号 |
DE19966017098 |
申请日期 |
1996.05.31 |
| 申请人 |
SILICONIX INC., SANTA CLARA |
发明人 |
WILLIAMS, RICHARD K. |
| 分类号 |
H01L29/866;H01L21/336;H01L27/02;H01L27/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/02 |
主分类号 |
H01L29/866 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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