| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为包含:形成电晶体之活性区(A1,A2);及使该活性区彼此相互隔离之场区(F),该场区具有许多形成虚拟闸极(DP)之虚拟区(D)。2.如申请专利范围第1项之装置,其中每一个该虚拟(dummy)区系藉由浅沟渠隔离层(5)分隔。3.如申请专利范围第1项之装置,其中每一个该虚拟闸极都具有一该虚拟区其中之一个别的缩小图案。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该虚拟区和该虚拟闸极为方形。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该虚拟区和该虚拟闸极为矩形。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该虚拟区和该虚拟闸极为多边形。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该虚拟区和该虚拟闸极为圆形。8.如申请专利范围第1项之装置,其中该虚拟区系以列和行方式排列。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该虚拟区之列彼此相互偏移。10.如申请专利范围第8项之装置,其中该虚拟区之行彼此相互偏移。11.如申请专利范围第8项之装置,其中该虚拟区之列和行被此相互偏移。12.一种半导体装置的制造方法,其特征为包含以下步骤:在半导体基板中,形成浅沟渠隔离层(6),使得活性区和包含用以隔离该活性区之虚拟区的场区(F)被分隔开;及在该活性区上形成闸极,和在该虚拟区上形成虚拟闸极。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该浅沟渠隔离层形成之步骤,包含:使用具有对应该活性区之活性区图案(A1,A2)和对应该虚拟区之虚拟图案(D)的第一光罩(M1),形成第一光阻图案层(4);藉由使用该第一光罩之微影制程和蚀刻制程,在该半导体基板中形成沟渠(5);将绝据层(6)埋入该沟渠中;及对该绝缘层实行化学机械抛光制程。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该闸极和虚拟闸极形成之步骤,包含:在该半导体基板上,形成一导电层(9);在该导电层上,形成第二光阻图案层(11),该第二光阻图案层具有对应该活性区之闸极图案(GP1,GP2)和对应该虚拟闸极之虚拟闸极图案(DP);及藉由使用该第二光罩之微影制程和蚀刻制程,将该导电层制作成图案。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该虚拟闸极图案系由缩小的该虚拟区图案所建构的。16.如申请专利范围第12项之方法,其中该虚拟区和该虚拟闸极为方形。17.如申请专利范围第12项之方法,其中试虚拟区和该虚拟闸极为矩形。18.如申请专利范围第12项之方法,其中该虚拟区和该虚拟闸极为多边形。19.如申请专利范围第12项之方法,其中该虚拟区和该虚拟闸极为圆形。20.如申请专利范围第12项之方法,其中该虚拟区系以列和行方式排列。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该虚拟区之列彼此相互偏移。22.如申请专利范围第20项之方法,其中该虚拟区之行彼此相互偏移。23.如申请专利范围第20项之方法,其中该虚拟区之列和行彼此相互偏移。24.一种光罩,其特征为包含:用以在半导体基板(1)上形成电晶体闸极之闸极图案(GP1,GP2);及围绕着该闸极图案,且用以在该半导体基板上形成虚拟闸极之虚拟闸极图案(DP),该虚拟闸极图案系由用以在该半导体基板中形成浅沟渠隔离层(6)之缩小的虚拟区图案(D)所建构的。25.如申请专利范围第24项之光罩,其中该虚拟闸极图案为方形。26.如申请专利范围第24项之光罩,其中该虚拟闸极图案为矩形。27.如申请专利范围第24项之光罩,其中该虚拟闸极图案为多边形。28.如申请专利范围第24项之光罩,其中该虚拟闸极图案为圆形。29.如申请专利范围第24项之光罩,其中该虚拟闸极图案供以列和行方式排列。30.如申请专利范围第29项之光罩,其中该虚拟闸极图案之列彼此相互偏移。31.如申请专利范围第29项之光罩,其中该虚拟闸极图案之行彼此相互偏移。32.如申请专利范围第29项之光罩,其中该虚拟闸极图案之列和行彼此相互偏移。图式简单说明:第1A图,第1B图,和第1C图为说明半导体装置之第一习知技术的制造方法横截面图;第2图为用在示于第1A图之制造步骤的光罩平面图;第3A图,第3B图,和第3C图为说明半导体装置之第二习知技术的制造方法横截面图;第4图为用在示于第3A图之制造步骤的光罩平面图;第5A图,第5B图,和第5C图为设计用在本发明半导体装置制造方法之第一实施例的第一步骤说明图;第6A图,第6B图,和第6C图为设计用在本发明半导体装置制造方法之第一实施例的第二步骤说明图;第7图为藉由示于第5A图,第5B图,第5C图和第6A图,第6B图,和第6C图的光罩而得之半导体装置的平面图;第8A到第8K图为说明第7图之半导体装置制造方法的横截面图;第9A和第9B图为说明第5C图之虚拟闸极图案需求的横截面图;第10图为本发明半导体装置之第二实施例的平面图;及第11A和第11B图为说明第10图之半导体装置效应的平面图。 |
